КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
ПОСТАНОВА
від 31 серпня 2011 р. N 908
Київ
Про внесення змін до постанови
Кабінету Міністрів України
від 21 листопада 2007 р. N 1355
Кабінет Міністрів України постановляє:
Внести до постанови Кабінету Міністрів України від 21 листопада 2007 р. N 1355 "Про затвердження Державної цільової науково-технічної програми "Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного випуску приладів і систем на їх основі" на 2008-2011 роки" (Офіційний вісник України, 2007 р., N 90, ст. 3305) зміни, що додаються.
Прем'єр-міністр України М.АЗАРОВ
Затверджено
постановою Кабінету Міністрів України
від 31 серпня 2011 р. N 908
Зміни,
що вносяться
до постанови Кабінету Міністрів України
від 21 листопада 2007 р. N 1355
1. У назві та пункті 1 постанови цифри "2008-2011" замінити цифрами "2008-2012".
2. У Державній цільовій науково-технічній програмі "Розроблення і освоєння мікроелектронних технологій, організація серійного випуску приладів і систем на їх основі" на 2008-2011 роки", затвердженій зазначеною постановою:
1) у назві Програми цифри "2008-2011" замінити цифрами "2008-2012";
2) у розділі "Обсяги та джерела фінансування":
в абзаці другому цифри і слова "2011 році - 13,3 млн.," замінити цифрами і словами "2011 - 13,3 млн., 2012 році - 9,8 млн.,";
абзац третій виключити;
3) у додатках до Програми:
у додатку 1:
у назві та пункті 6 додатка цифри "2008-2011" замінити цифрами "2008-2012";
пункти 4 і 7 викласти у такій редакції:
"4. Керівник Програми - Голова Держінформнауки.";
"7. Прогнозні обсяги та джерела фінансування, млн. гривень:
------------------------------------------------------------------
| Джерела | Обсяг | У тому числі за роками |
| фінансування |фінансування |--------------------------------|
| | | 2008 | 2009 |2010 |2011 | 2012 |
|-----------------+-------------+------+------+-----+-----+------|
|Державний бюджет | 69,8 |15,35 |16,25 |15,1 |13,3 | 9,8 |
|-----------------+-------------+------+------+-----+-----+------|
|Інші джерела | 21,1 | 5 | 5 | 5 | 5 | 1,1 |
|-----------------+-------------+------+------+-----+-----+------|
|Усього | 90,9 |20,35 |21,25 |20,1 |18,3 |10,9";|
------------------------------------------------------------------
у додатку 2:
графи "Значення показника" та "У тому числі за роками" доповнити підграфою "2012";
пункт 2 викласти у такій редакції:
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
| Найменування | Найменування | Значення показника | Найменування | Головний | Джерела | Прогнозний | У тому числі за роками |
| завдання | показника |-----------------------------------------| заходу |розпорядник|фінансу- | обсяг | |
| | |усього| за роками | | бюджетних | вання | фінансових | |
| | | |----------------------------------| | коштів | |ресурсів для|------------------------------------|
| | | | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 | | | | виконання | 2008 | 2009 | 2010 | 2011 | 2012 |
| | | | | | | | | | | | завдань, | | | | | |
| | | | | | | | | | | |млн. гривень| | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
|2. Створення |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | | |1) розроблення |Національна|державний| 4,41 | 1,15 | 1,27 | 1,09 | 0,9 | |
|принципово нових |конструкторські| | | | | | |технології |академія |бюджет | | | | | | |
|матеріалів, у |роботи | | | | | | |одержання нових |наук | | | | | | | |
|тому числі | | | | | | | |напівпровідникових| | | | | | | | |
|наноматеріалів, | | | | | | | |матеріалів на | | | | | | | | |
|компонентів | | | | | | | |основі квантових | | | | | | | | |
|для | | | | | | | |точок | | | | | | | | |
|мікроелектроніки | | | | | | | |халькогенідів для | | | | | | | | |
| | | | | | | | |створення емітерів| | | | | | | | |
| | | | | | | | |світла видимого і | | | | | | | | |
| | | | | | | | |ближнього | | | | | | | | |
| | | | | | | | |інфрачервоного | | | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------|діапазону |-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| |нові види | 2 | | 1 | | 1 | |(500-1400 нм) | | | | | | | | |
| |матеріалів | | | | | | |з регульованим | | | | | | | | |
| | | | | | | | |спектром | | | | | | | | |
| | | | | | | | |випромінювання. | | | | | | | | |
| | | | | | | | |Виготовлення | | | | | | | | |
| | | | | | | | |дослідних зразків | | | | | | | | |
| | | | | | | | |світлодіодів | | | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| |дослідно- | 1 | 1 | | | | |2) розроблення | | -"- | 5,25 | 1,5 | 1,4 | 1,25 | 1,1 | |
| |конструкторські| | | | | | |технології | | | | | | | | |
| |роботи | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | |
| | | | | | | | |нанокераміки на | | | | | | | | |
| | | | | | | | |основі важких | | | | | | | | |
| | | | | | | | |оксидів | | | | | | | | |
| | | | | | | | |рідкісноземельних | | | | | | | | |
| | | | | | | | |металів для | | | | | | | | |
| | | | | | | | |реєстрації | | | | | | | | |
| | | | | | | | |іонізуючого | | | | | | | | |
| | | | | | | | |випромінювання. | | | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| |технологічні | 1 | | | 1 | | |Розроблення | | | | | | | | |
| |регламенти | | | | | | |технологічного | | | | | | | | |
| | | | | | | | |регламенту | | | | | | | | |
| | | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | |
| | | | | | | | |нанокераміки. | | | | | | | | |
| | | | | | | | |Випуск дослідної | | | | | | | | |
| | | | | | | | |партії | | | | | | | | |
| | | | | | | | |сцинтиляційних | | | | | | | | |
| | | | | | | | |елементів для | | | | | | | | |
| | | | | | | | |реєстрації | | | | | | | | |
| | | | | | | | |рентгенівських та | | | | | | | | |
| | | | | | | | |гамма-квантів | | | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| |дослідно- | 3 | 1 | | 1 | | 1 |3) розроблення | |державний| 22,9 | 3,1 | 3,5 | 3,4 | 3,1 | 9,8 |
| |конструкторські| | | | | | |технології | |бюджет | | | | | | |
| |роботи | | | | | | |отримання | | | | | | | | |
| | | | | | | | |високоякісних | | | | | | | | |
| | | | | | | | |підкладок із | | | | | | | | |
| | | | | | | | |сапфіру для | | | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------|структур кремній |-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| |технології | 3 | | 1 | | 1 | 1 |на сапфірі, для | | | | | | | | |
| |світового | | | | | | |світлодіодів та | | | | | | | | |
| |рівня | | | | | | |інших | | | | | | | | |
| | | | | | | | |комплектуючих | | | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------|приладів |-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| |технологічні | 2 | | | | | 2 |мікроелектроніки. | | | | | | | | |
| |регламенти | | | | | | |Створення | | | | | | | | |
| | | | | | | | |дослідно- | | | | | | | | |
| | | | | | | | |промислової | | | | | | | | |
| | | | | | | | |ділянки і | | | | | | | | |
| | | | | | | | |виготовлення | | | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| | | | | | | | |підкладок із | | | | | | | | |
| | | | | | | | |кристалів, | | | | | | | | |
| | | | | | | | |вирощених різними | | | | | | | | |
| | | | | | | | |методами для | | | | | | | | |
| | | | | | | | |великих | | | | | | | | |
| | | | | | | | |інтегральних схем,| | | | | | | | |
| | | | | | | | |світлодіодів | | | | | | | | |
| | | | | | | | |тощо | | | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| | | | | | | | | | |інші | 8,1 | 1,75 | 1,75 | 1,75 | 1,75 | 1,1 |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| | | | | | | | | |разом | | 31 | 4,85 | 5,25 | 5,15 | 4,8 | 10,9 |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| |дослідно- | 2 | 1 | | 1 | | |4) розроблення | |державний| 1,52 | 0,4 | 0,46 | 0,35 | 0,31 | |
| |конструкторські| | | | | | |іонно-плазмової | |бюджет | | | | | | |
| |роботи | | | | | | |технології | | | | | | | | |
| | | | | | | | |одержання | | | | | | | | |
| | | | | | | | |кристалічних | | | | | | | | |
| | | | | | | | |плівок SiC на | | | | | | | | |
| | | | | | | | |кремнієвих і | | | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------|сапфірових |-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| |технології | 1 | | 1 | | | |підкладках для | | | | | | | | |
| |світового | | | | | | |створення | | | | | | | | |
| |рівня | | | | | | |фотоперетворюючих | | | | | | | | |
| | | | | | | | |приладів | | | | | | | | |
| | | | | | | | |авіаційної і | | | | | | | | |
| | | | | | | | |атомної | | | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| | | | | | | | |промисловості. | | | | | | | | |
| | | | | | | | |Виготовлення та | | | | | | | | |
| | | | | | | | |натурні | | | | | | | | |
| | | | | | | | |випробування | | | | | | | | |
| | | | | | | | |макетів | | | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| | | | | | | | |ультрафіолетових | | | | | | | | |
| | | | | | | | |сенсорів у | | | | | | | | |
| | | | | | | | |широкому діапазоні| | | | | | | | |
| | | | | | | | |термічних та | | | | | | | | |
| | | | | | | | |радіаційних дій | | | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
|Разом | | | | | | | | | | | 42,18 | 7,9 | 8,38 | 7,84 | 7,16 | 10,9 |
|за завданням 2 | | | | | | | | | | | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
|у тому числі | | | | | | | | | |державний| 34,08 | 6,15 | 6,63 | 6,09 | 5,41 | 9,8 |
| | | | | | | | | | |бюджет | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| | | | | | | | | | |інші | 8,1 | 1,75 | 1,75 | 1,75 | 1,75 | 1,1";|
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
позицію "Усього за Програмою" викласти у такій редакції:
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
|"Усього за | | | | | | | | | | | 90,9 | 20,35 | 21,25 | 20,1 | 18,3 | 10,9 |
|Програмою | | | | | | | | | | | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
|у тому числі | | | | | | | | | |державний| 69,8 | 15,35 | 16,25 | 15,1 | 13,3 | 9,8 |
| | | | | | | | | | |бюджет | | | | | | |
|-----------------+---------------+------+------+------+------+------+------+------------------+-----------+---------+------------+-------+-------+------+------+------|
| | | | | | | | | | |інші | 21,1 | 5 | 5 | 5 | 5 | 1,1";|
------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
у додатку 3:
графу "Значення показників" доповнити підграфою "2012";
пункт 2 викласти у такій редакції:
------------------------------------------------------------------
| "Найменування | Найменування | Значення показників |
| завдання | показника |-------------------------------|
| | |усього| у тому числі за роками |
| | | |------------------------|
| | | |2008|2009|2010|2011|2012|
|----------------+---------------+------+----+----+----+----+----|
|2. Створення |дослідно- | 8 | 4 | | 3 | | 1 |
|принципово нових|конструкторські| | | | | | |
|матеріалів, у |роботи | | | | | | |
|тому числі |---------------+------+----+----+----+----+----|
|наноматеріалів, |технології | 4 | | 2 | | 1 | 1 |
|компонентів для |світового рівня| | | | | | |
|мікроелектроніки|---------------+------+----+----+----+----+----|
| |технологічні | 3 | | | 1 | | 2 |
| |регламенти | | | | | | |
| |---------------+------+----+----+----+----+----|
| |нові види | 2 | | 1 | |1"; | |
| |матеріалів | | | | | | |
------------------------------------------------------------------
позицію "Усього" викласти у такій редакції:
------------------------------------------------------------------
| "Найменування | Найменування | Значення показників |
| завдання | показника |-------------------------------|
| | |усього| у тому числі за роками |
| | | |------------------------|
| | | |2008|2009|2010|2011|2012|
|----------------+---------------+------+----+----+----+----+----|
|Усього |дослідно- | 33 | 15 | 8 | 8 | 1 | 1 |
| |конструкторські| | | | | | |
| |роботи | | | | | | |
| |---------------+------+----+----+----+----+----|
| |технології | 27 | 2 | 5 | 12 | 7 | 1 |
| |світового рівня| | | | | | |
| |---------------+------+----+----+----+----+----|
| |технологічні | 22 | 3 | 3 | 7 | 7 | 2 |
| |регламенти | | | | | | |
| |---------------+------+----+----+----+----+----|
| |нові види | 8 | | 1 | 3 | 4 | |
| |матеріалів | | | | | | |
|----------------+---------------+------+----+----+----+----+----|
| |нові види | 7 | 1 | | 1 |5". | |
| |приладів | | | | | | |
------------------------------------------------------------------